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Performance Variation According to Device Structure and the Source/Drain Metal Electrode of a-IGZO TFTs

材料科学 电极 薄膜晶体管 接触电阻 光电子学 晶体管 无定形固体 金属 电子工程 电气工程 电压 纳米技术 图层(电子) 冶金 化学 工程类 物理化学 有机化学
作者
Sang Ho Rha,Jisim Jung,Yoon-Soo Jung,Yoon Jang Chung,Un Ki Kim,Eun Suk Hwang,Byoung Keon Park,Tae Joo Park,Jung‐Hae Choi,Cheol Seong Hwang
出处
期刊:IEEE Transactions on Electron Devices [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:59 (12): 3357-3363 被引量:41
标识
DOI:10.1109/ted.2012.2220367
摘要

The transmission-line method (TLM) was adopted to clarify the causes of device performance variation according to the source/drain metal electrode and device structure of a thin-film transistor using an amorphous indium-gallium-zinc-oxide channel. Using the TLM, the channel characteristics independent of contact resistance were extracted for the two different contact metals, i.e., Ti and Mo. Based on these results, the mobility characteristics were compared in terms of device scaling and contact structure in the source/drain overlap region. In addition, the transport characteristics according to the contact structure of the source/drain metal electrode were investigated in detail and reproduced using the simulation model.
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