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Vertical GaN and SiC Power Devices

材料科学 光电子学 工程物理 半导体 碳化硅 钝化 二极管 发光二极管 功率半导体器件 半导体器件 氮化镓 宽禁带半导体 纳米技术 电气工程 工程类 冶金 电压 图层(电子)
作者
Kazuhiro Mochizuki
链接
摘要

This unique new resource provides a comparative introduction to vertical Gallium Nitride (GaN) and Silicon Carbide (SiC) power devices using real commercial device data, computer, and physical models. This book uses commercial examples from recent years and presents the design features of various GaN and SiC power components and devices. Vertical verses lateral power semiconductor devices are explored, including those based on wide bandgap materials. The abstract concepts of solid state physics as they relate to solid state devices are explained with particular emphasis on power solid state devices. Details about the effects of photon recycling are presented, including an explanation of the phenomenon of the family tree of photon-recycling. This book offers in-depth coverage of bulk crystal growth of GaN, including hydride vapor-phase epitaxial (HVPE) growth, high-pressure nitrogen solution growth, sodium-flux growth, ammonothermal growth, and sublimation growth of SiC. The fabrication process, including ion implantation, diffusion, oxidation, metallization, and passivation is explained. The book provides details about metal-semiconductor contact, unipolar power diodes, and metal-insulator-semiconductor (MIS) capacitors. Bipolar power diodes, power switching devices, and edge terminations are also covered in this resource.
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