Observation of long-lived interlayer excitons in monolayer MoSe2–WSe2 heterostructures

激子 单层 异质结 光致发光 材料科学 光电子学 范德瓦尔斯力 发光 凝聚态物理 纳米技术 化学 物理 分子 有机化学
作者
Pasqual Rivera,John R. Schaibley,Aaron M. Jones,Jason Ross,Sanfeng Wu,Grant Aivazian,Philip Klement,Kyle L. Seyler,Genevieve Clark,N. Ghimire,Jiaqiang Yan,David Mandrus,Wang Yao,Xiaodong Xu
出处
期刊:Nature Communications [Springer Nature]
卷期号:6 (1): 6242-6242 被引量:1569
标识
DOI:10.1038/ncomms7242
摘要

Van der Waals bound heterostructures constructed with two-dimensional materials, such as graphene, boron nitride and transition metal dichalcogenides, have sparked wide interest in device physics and technologies at the two-dimensional limit. One highly coveted heterostructure is that of differing monolayer transition metal dichalcogenides with type-II band alignment, with bound electrons and holes localized in individual monolayers, that is, interlayer excitons. Here, we report the observation of interlayer excitons in monolayer MoSe2-WSe2 heterostructures by photoluminescence and photoluminescence excitation spectroscopy. We find that their energy and luminescence intensity are highly tunable by an applied vertical gate voltage. Moreover, we measure an interlayer exciton lifetime of ~1.8 ns, an order of magnitude longer than intralayer excitons in monolayers. Our work demonstrates optical pumping of interlayer electric polarization, which may provoke further exploration of interlayer exciton condensation, as well as new applications in two-dimensional lasers, light-emitting diodes and photovoltaic devices.
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