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Bulk Photovoltaic Effect in Two-Dimensional Distorted MoTe2

材料科学 光电流 相变 X射线光电子能谱 带隙 光伏系统 光电子学 凝聚态物理 铁电性 光电导性 光电效应 点反射 太阳能电池 纳米技术 电介质 核磁共振 物理 生物 生态学
作者
Sikandar Aftab,Muhammad Arslan Shehzad,Hafiz Muhammad Salman Ajmal,Fahmid Kabir,Muhammad Zahir Iqbal,Abdullah A. Al‐Kahtani
出处
期刊:ACS Nano [American Chemical Society]
卷期号:17 (18): 17884-17896 被引量:30
标识
DOI:10.1021/acsnano.3c03593
摘要

In future solar cell technologies, the thermodynamic Shockley-Queisser limit for solar-to-current conversion in traditional p-n junctions could potentially be overcome with a bulk photovoltaic effect by creating an inversion broken symmetry in piezoelectric or ferroelectric materials. Here, we unveiled mechanical distortion-induced bulk photovoltaic behavior in a two-dimensional (2D) material, MoTe2, caused by the phase transition and broken inversion symmetry in MoTe2. The phase transition from single-crystalline semiconducting 2H-MoTe2 to semimetallic 1T'-MoTe2 was confirmed using X-ray photoelectron spectroscopy (XPS). We used a micrometer-scale system to measure the absorption of energy, which reduced from 800 to 63 meV during phase transformation from hexagonal to distorted octahedral and revealed a smaller bandgap semimetallic behavior. Experimentally, a large bulk photovoltaic response is anticipated with the maximum photovoltage VOC = 16 mV and a positive signal of the ISC = 60 μA (400 nm, 90.4 Wcm-2) in the absence of an external electric field. The maximum values of both R and EQE were found to be 98 mAW-1 and 30%, respectively. Our findings are distinctive features of the photocurrent responses caused by in-plane polarity and its potential from a wide pool of established TMD-based nanomaterials and a cutting-edge approach to optimize the efficiency in converting photons-to-electricity for power harvesting optoelectronics devices.
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