Self‐Activated Tungstate Phosphor for Near‐Infrared Light‐Emitting Diodes

荧光粉 钨酸盐 材料科学 红外线的 光电子学 量子效率 发光 二极管 热稳定性 发光二极管 光学 化学 冶金 物理 有机化学
作者
Sheng Wu,Puxian Xiong,Quan Liu,Yao Xiao,Yongsheng Sun,Enhai Song,Yan Chen
出处
期刊:Advanced Optical Materials [Wiley]
卷期号:10 (23) 被引量:24
标识
DOI:10.1002/adom.202201718
摘要

Abstract Near‐infrared phosphor‐converted light‐emitting diodes (NIR pc‐LEDs) are promising for many applications in non‐destructive testing, bio‐imaging, and modern agriculture. However, developing self‐activated NIR phosphors with high efficiency and excellent thermal stability is a great challenge for current research. In this work, a self‐activated far‐red to NIR emitting NaLaMgWO 6 phosphor is prepared by the high‐temperature solid‐state reaction method, whose luminescence properties are investigated in detail. In addition, the introduction of Bi 3+ ions as sensitizers enhances the emission intensity of far‐red to NIR light (650‐850 nm) through a Bi 3+ → WO 6 6– energy transfer design strategy, resulting in an increased internal quantum efficiency (IQE) from 56.4% to 64.8% and thermal stability from 54% to 72% (420 K). Finally, the combination of NaLaMgWO 6 :Bi 3+ with 365/460 nm commercial LED chip is prepared into NIR pc‐LED devices, demonstrating satisfactory performance in the field of night vision detection and other wide range of practical applications.
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