Band alignment of β-(AlxGa1−x)2O3 alloys via atomic solid-state energy scale approach

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作者
Yuichi Ota
出处
期刊:AIP Advances [American Institute of Physics]
卷期号:10 (12) 被引量:9
标识
DOI:10.1063/5.0031224
摘要

We presented a simple estimation method for band alignment of semiconductor alloys based on the atomic solid-state energy (SSE) scale. Our method has the advantage that natural band alignment can be determined using the SSE and energy gap of materials. We investigated several examples of the valence band offset and conduction band offset for β-(AlxGa1−x)2O3 related heterostructures, and our results were in good agreement with previous experimental data. These results indicated that simple and practical prediction of the band offset and alignment of ionic bonded semiconductors can be attained.

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