高电子迁移率晶体管
光电子学
材料科学
电气工程
晶体管
工程类
电压
作者
Hao Yue,Han Xin-Wei,Zhang Jin-Cheng,Zhang Jin-Feng
出处
期刊：Chinese Physics
[Acta Physica Sinica, Chinese Physical Society and Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences]
日期：2006-07-20
摘要
通过对AlGaN/GaN HEMT器件直流扫描情况下电流崩塌现象和机理的分析，建立了一个AlGaN/GaN HEMT器件的直流扫描电流崩塌模型.该模型从AlGaN/GaN器件工作机理出发，综合考虑了器件结构、半导体表面与界面，以及量子阱特殊结构对电流崩塌的影响.实验反复证明了该模型与实验结果有良好的一致性.
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