Electronic and magnetic properties of nonmetal atoms adsorbed ReS2 monolayers

非金属 单层 磁矩 自旋电子学 磁性 吸附 费米能级 磁性半导体 材料科学 结晶学 带隙 凝聚态物理 化学 金属 兴奋剂 铁磁性 纳米技术 电子 物理化学 物理 量子力学 冶金
作者
Xiaoou Zhang,Qingfang Li
出处
期刊:Journal of Applied Physics [American Institute of Physics]
卷期号:118 (6) 被引量:29
标识
DOI:10.1063/1.4928460
摘要

The stable configurations and electronic and magnetic properties of nonmetal atoms (H, N, P, O, S, F, and Cl) adsorbed ReS2 monolayers have been investigated by first-principles calculations. It is found that H, O, S, F, and Cl prefer to occupy the peak sites of S atoms, while both N and P atoms favor the valley sites of S atoms. The ReS2 sheet exhibits a good adsorption capability to nonmetal atoms. The reconstruction of the surface is pronounced in N- and P-adsorbed ReS2 monolayers. In H-adsorbed case, the Fermi level is pulled into the conduction band, which results in the semiconductor-metal transition. The same magnetic moment of 1μB is found in the N-, P-, F-, and Cl-adsorbed ReS2 monolayers, while the mechanisms of forming magnetic moment for N (P)- and F (Cl)-adsorbed cases are different. In addition, the spatial extensions of spin density in P-, F-, and Cl-adsorbed cases are larger than that in N-adsorbed case, which is more suitable to achieve long-range magnetic coupling interaction at low defect concentrations. Our results provide insight for achieving metal-free magnetism and a tunable band gap for various electronic and spintronic devices based on ReS2.

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