Recent progress of research on III-nitride deep ultraviolet light-emitting diode

国家自然科学基金(批准号: 61376047, 61204053)和国家高技术研究发展计划(编号: 2011AA03A111, 2014AA032608, 2012AA041001) 资助 摘要 基于三族氮化物(III-nitride)材料的紫外发光二极管(UV LED)在杀菌消毒、聚合物固化、生化探 测、非视距通讯及特种照明等领域有着广阔的应用前景, 近年来受到越来越多的关注和重视.在过去的 十多年里, 氮化物 UV LED 取得了长足的进步, 发光波长 400-210 nm 之间的氮化物 UV LED 先后被研发 出来, 短于 360 nm 的深紫外 LED (DUV LED)的外量子效率(EQE)最好结果已超过 10%, 很大程度上得益 于核心 AlGaN 材料制备技术的进展.通过提高 AlGaN 外延材料及量子结构中的 Al 组分, 可以实现更短 波长的 UV LED, 但是源于 Al(Ga)N 材料的特性