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作者
Xiaoqi Li,Jiaqi Liu,Jianqi Huang,Biaohong Huang,Lingli Li,Yizhuo Li,Wentao Hu,Changji Li,Sajjad Ali,Teng Yang,Fei Xue,Zheng Han,Yun‐Long Tang,Weijin Hu,Zhidong Zhang
出处
期刊:ACS Nano
[American Chemical Society]
日期:2024-03-04
卷期号:18 (11): 7989-8001
被引量:1
标识
DOI:10.1021/acsnano.3c10933
摘要
A substantial ferroelectric polarization is the key for designing high-performance ferroelectric nonvolatile memories. As a promising candidate system, the BaTiO
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