Study of Antimony‐Doped Silicene Nanoribbons in the Electric Field

硅烯 电场 材料科学 兴奋剂 凝聚态物理 蜂巢 密度泛函理论 带隙 石墨烯 纳米技术 计算化学 物理 光电子学 化学 复合材料 量子力学 冶金
作者
Hoàng Văn Ngọc
出处
期刊:Macromolecular Symposia [Wiley]
卷期号:410 (1) 被引量:1
标识
DOI:10.1002/masy.202100279
摘要

Abstract Silicene is a structure made of silicon atoms with a honeycomb hexagonal configuration. Silicene is not a flat structure like graphene, it has buckling. Silicene nanoribbons (SiNRs) are low‐dimensional structures built from silicene with chemically modified edges. The electronic properties of SiNRs also depend on the modification elements at the two edges. The antimony element will be doped in the SiNRs, and the electric field acting on the system is a constant electric field 0.3 V Å ‐1 . The configurations are stable after optimization by density function theory (DFT), and the energies of formation of the systems will also be calculated. The energy bands, states of the configurations will be plotted, analyzed, and compared. The structures after doping are all semi‐metallic, the band gap has disappeared. The partial states are also investigated, which depends on the density of particles per unit cell.
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