An Ultra-Low Leakage and Wide-Range Voltage Level Shifter for Low-Power Digital CMOS VLSIs

逻辑电平 泄漏(经济) CMOS芯片 电气工程 晶体管 传播延迟 电压 材料科学 低功耗电子学 低压 电子工程 阈值电压 工程类 光电子学 功率(物理) 物理 功率消耗 量子力学 宏观经济学 经济
作者
Ang Yuan,H. S. Zhao,Xiao Wang,Zhi Liu,Shushan Qiao
出处
期刊:IEEE Transactions on Circuits and Systems Ii-express Briefs [Institute of Electrical and Electronics Engineers]
卷期号:71 (3): 1406-1410
标识
DOI:10.1109/tcsii.2023.3323016
摘要

This brief presents an ultra-low leakage and fast conversion level shifter with wide-range voltage conversion and frequency. The proposed level shifter adopts the leakage shut-off transistors, which can completely cut off the static current when the circuits stand by. The pull-down network employs the low-threshold transistor for the fast fall transition. The proposed level shifter also solves the swing problem and achieves a fast conversion by using the voltage hysteresis transistor, strengthening the pull-up network to ensure the internal node is fast and fully charged. Measurement results based on the 55 nm process show that the average ultra-low leakage of the proposed level shifter is 34.8 pW when converting from 0.3 V input to 1.2 V output. Meanwhile, the average propagation delay and the average energy per transition of the proposed level shifter are 13.86 ns and 22.71 fJ for an input frequency of 1 MHz, respectively. The maximum conversion range is from 0.13 V to 1.2 V.
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