Templates for Homoepitaxial Growth of 3C-SiC Obtained by Direct Bonding of Silicon Carbide Wafers of Differing Polytype

碳化硅 薄脆饼 模板 材料科学 光电子学 碳化物 纳米技术 冶金
作者
M. G. Mynbaeva,D. G. Amelchuk,A. N. Smirnov,И.П. Никитина,С. П. Лебедев,V. Yu. Davydov,A. A. Lebedev
出处
期刊:Semiconductors [Springer Nature]
卷期号:57 (6): 305-309 被引量:2
标识
DOI:10.1134/s1063782623080109
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