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Effect of SiC Addition on Sintering Behavior and Properties of Indium Tin Oxide

烧结 材料科学 氧化铟锡 冶金 复合材料 图层(电子)
作者
Jung Pyo Lee,Hyung-Ryul Park,Joon-Hyung Lee,Yeong-Woo Heo,Ju-O Park,Hee Chul Lee,Jeong-Joo Kim
出处
期刊:Journal of Nanoelectronics and Optoelectronics [American Scientific Publishers]
卷期号:7 (5): 559-563 被引量:1
标识
DOI:10.1166/jno.2012.1380
摘要

The sintering behavior of ITO ceramics with the addition of fine and coarse SiC was studied. SiC addition promoted the densification of ITO during early stage sintering compared to pure ITO. On the other hand, the addition of SiC resulted in the development of numerous pores in the microstructures due to the oxidation of SiC during sintering. In particular, swelling of the samples, which lead to an expansion of the sample, was observed when 1.0 wt% of fine SiC was added. Fine SiC particles are believed oxidize faster than coarse SiC particles, and SiC oxidation during sintering resulted in a low density and high porosity regardless of the SiC particle size.
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