Room-temperature ferroelectricity and a switchable diode effect in two-dimensional α-In2Se3 thin layers

材料科学 铁电性 二极管 范德瓦尔斯力 电场 光电子学 极化(电化学) 异质结 肖特基势垒 薄膜 极化密度 肖特基二极管 奥里维里斯 石墨烯 凝聚态物理 纳米技术 电介质 磁场 物理 化学 磁化 有机化学 物理化学 量子力学 分子
作者
Siyuan Wan,Yue Li,Wei Li,Xiaoyu Mao,Wenguang Zhu,Hualing Zeng
出处
期刊:Nanoscale [The Royal Society of Chemistry]
卷期号:10 (31): 14885-14892 被引量:244
标识
DOI:10.1039/c8nr04422h
摘要

A switchable diode based on room-temperature two-dimensional ferroelectric α-In2Se3 thin layers.
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