Complementary tunneling transistor for low power application

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作者
P.-F. Wang,K. Hilsenbeck,T. Nirschl,Elisabeth Oswald,Ch. Stepper,Mirjam Weis,D. Schmitt‐Landsiedel,W. Hänsch
出处
期刊:Solid-state Electronics [Elsevier]
卷期号:48 (12): 2281-2286 被引量:466
标识
DOI:10.1016/j.sse.2004.04.006
摘要

The metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET) is scaling to a “tunneling epoch”, in which multiple leakage current induced by different tunneling effects exist. The complementary Si-based tunneling transistors are presented in this paper. The working principle of this device is investigated in detail. It is found that the band-to-band tunneling current is be controlled by the gate-to-source voltage. Due to the reverse biased p-i-n diode structure, an ultra-low leakage current is achieved. The sub-threshold swing of TFET is not limited by kt/q, which is the physical limit of the MOSFET. Using the CMOS compatible processes, the complementary TFETs (CTFET) are fabricated on one wafer. From a circuit point of view, the compatibility between TFET and MOSFET enables the transfer of CMOS circuits to CTFET circuits.
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