Emerging Photoluminescence in Monolayer MoS2

光致发光 单层 纳米材料 材料科学 带隙 半导体 纳米技术 纳米尺度 量子点 直接和间接带隙 光电子学 凝聚态物理 物理
作者
Andrea Splendiani,L. Sun,Yuanbo Zhang,Tianshu Li,Jonghwan Kim,Chi Yung Chim,Giulia Galli,Feng Wang
出处
期刊:Nano Letters [American Chemical Society]
卷期号:10 (4): 1271-1275 被引量:8518
标识
DOI:10.1021/nl903868w
摘要

Novel physical phenomena can emerge in low-dimensional nanomaterials. Bulk MoS2, a prototypical metal dichalcogenide, is an indirect bandgap semiconductor with negligible photoluminescence. When the MoS2 crystal is thinned to monolayer, however, a strong photoluminescence emerges, indicating an indirect to direct bandgap transition in this d-electron system. This observation shows that quantum confinement in layered d-electron materials like MoS2 provides new opportunities for engineering the electronic structure of matter at the nanoscale.
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