N‐Doped and P‐Doped Graphene on MgO (111): A First‐Principles Study

石墨烯 材料科学 兴奋剂 密度泛函理论 化学物理 电子能带结构 石墨烯纳米带 纳米技术 凝聚态物理 光电子学 计算化学 化学 物理
作者
Dongbo Li,Yinjie Shen,Ping Yang
出处
期刊:Advanced Engineering Materials [Wiley]
卷期号:24 (2) 被引量:1
标识
DOI:10.1002/adem.202100762
摘要

Herein, first‐principles density functional theory is used to investigate the atomic structure and electrical properties of the contact between primitive graphene, N‐doped graphene, P‐doped graphene, and MgO (111) surface. It has been found that the energy band of the graphene/Mg‐terminated MgO (111) interface exhibits p‐type characteristics, and the energy band of the graphene/O‐terminated MgO (111) interface exhibits n‐type characteristics. N‐doped or P‐doped can control the energy band structure of the interface. The interaction between the graphene and Mg‐terminated MgO (111) interface is a weak physical interaction, and the interaction between the graphene and O‐terminated MgO (111) surface is a strong chemical interaction. N‐doped or P‐doped can promote the charge transfer between the interfaces, and further enhancing the interfacial coupling strength. This result is helpful to understand the interaction between graphene and MgO interface and provides theoretical guidance for the practical application of graphene/MgO interface‐based devices.

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