Indium‐Free Perovskite Solar Cells Enabled by Impermeable Tin‐Oxide Electron Extraction Layers

材料科学 钙钛矿(结构) 原子层沉积 图层(电子) 氧化锡 能量转换效率 电极 化学工程 氧化铟锡 氧化物 光电子学 纳米技术 无机化学 冶金 化学 物理化学 工程类
作者
Ting Hu,Tim Becker,Neda Pourdavoud,Jie Zhao,Kai Oliver Brinkmann,R. Heiderhoff,Tobias Gahlmann,Zengqi Huang,Selina Olthof,Klaus Meerholz,Daniel M. Többens,Baochang Cheng,Yiwang Chen,Thomas Riedl
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:29 (27) 被引量:100
标识
DOI:10.1002/adma.201606656
摘要

Corrosive precursors used for the preparation of organic–inorganic hybrid perovskite photoactive layers prevent the application of ultrathin metal layers as semitransparent bottom electrodes in perovskite solar cells (PVSCs). This study introduces tin‐oxide (SnO x ) grown by atomic layer deposition (ALD), whose outstanding permeation barrier properties enable the design of an indium‐tin‐oxide (ITO)‐free semitransparent bottom electrode (SnO x /Ag or Cu/SnO x ), in which the metal is efficiently protected against corrosion. Simultaneously, SnO x functions as an electron extraction layer. We unravel the spontaneous formation of a PbI 2 interfacial layer between SnO x and the CH 3 NH 3 PbI 3 perovskite. An interface dipole between SnO x and this PbI 2 layer is found, which depends on the oxidant (water, ozone, or oxygen plasma) used for the ALD growth of SnO x . An electron extraction barrier between perovskite and PbI 2 is identified, which is the lowest in devices based on SnO x grown with ozone. The resulting PVSCs are hysteresis‐free with a stable power conversion efficiency (PCE) of 15.3% and a remarkably high open circuit voltage of 1.17 V. The ITO‐free analogues still achieve a high PCE of 11%.
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