Large Second Harmonic Generation (SHG) Effect and High Laser‐Induced Damage Threshold (LIDT) Observed Coexisting in Gallium Selenide

二次谐波产生 正交晶系 激光器 相(物质) 材料科学 相位匹配 高次谐波产生 光学 谐波 光电子学 衍射 二次谐波成像显微术 化学 物理 量子力学 有机化学
作者
Sheng‐Ping Guo,Xiyue Cheng,Zong‐Dong Sun,Yang Chi,Bin‐Wen Liu,Xiao‐Ming Jiang,Shu‐Fang Li,Huaiguo Xue,Shuiquan Deng,Viola Düppel,Jürgen Köhler,Guo‐Cong Guo
出处
期刊:Angewandte Chemie [Wiley]
卷期号:58 (24): 8087-8091 被引量:150
标识
DOI:10.1002/anie.201902839
摘要

A big challenge for nonlinear optical (NLO) materials is the application in high power lasers, which needs the simultaneous occurrence of large second harmonic generation (SHG) and high laser induced damage threshold (LIDT). Herein we report the preparation of a new Ga2 Se3 phase, which shows the SHG intensities of around 2.3 times and the LIDT of around 16.7 times those of AgGaS2 (AGS), respectively. In addition, its IR transparent window ca. 0.59-25 μm is also significantly wider than that of AGS (ca. 0.48-≈11.4 μm). The occurrence of the strong SHG responses and good phase-matching indicate that the structure of the new Ga2 Se3 phase can only be non-centrosymmetric and have a lower symmetry than the cubic γ-phase. The observed excellent SHG and phase-matching properties are consistent with our diffraction experiments and can be well explained by using the orthorhombic models obtained through our high throughput simulations.
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