Influence of vacuum annealing on interface properties of SiC (0001) MOS structures

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作者
Kōji Itō,Takuma Kobayashi,Tsunenobu Kimoto
出处
期刊:Japanese Journal of Applied Physics [Institute of Physics]
卷期号:58 (7): 078001-078001 被引量:2
标识
DOI:10.7567/1347-4065/ab2557
摘要

We investigated the influence of vacuum annealing on interface properties of silicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor (MOS) structures. For as-oxidized and nitric oxide (NO)-annealed samples, the interface state density ($D_{\rm it}$) near the conduction band edge ($E_{\rm C}$) of SiC did not increase by subsequent vacuum annealing. For phosphoryl chloride (POCl$_3$)-annealed samples, in contrast, $D_{\rm it}$ at $E_{\rm C}-0.2$ eV increased from $1.3\times10^{10}$ to $2.2\times10^{12}$ cm$^{-2}$eV$^{-1}$ by the vacuum annealing, and the channel mobility of MOS field effect transistors (MOSFETs) decreased from 109 to 44 cm$^2$V$^{-1}$s$^{-1}$. Mechanism of the observed increase in $D_{\rm it}$ was discussed based on the results of secondary ion mass spectrometry measurement.
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