The role of defects and doping in 2D graphene sheets and 1D nanoribbons

石墨烯 纳米技术 石墨烯纳米带 兴奋剂 纳米尺度 GSM演进的增强数据速率 物理 材料科学 光电子学 计算机科学 电信
作者
Humberto Terrones,Ruitao Lv,Mauricio Terrones,M. S. Dresselhaus
出处
期刊:Reports on Progress in Physics [IOP Publishing]
卷期号:75 (6): 062501-062501 被引量:585
标识
DOI:10.1088/0034-4885/75/6/062501
摘要

Defects are usually seen as imperfections in materials that could significantly degrade their performance. However, at the nanoscale, defects could be extremely useful since they could be exploited to generate novel, innovative and useful materials and devices. Graphene and graphene nanoribbons are no exception. This review therefore tries to categorize defects, emphasize their importance, introduce the common routes to study and identify them and to propose new ways to construct novel devices based on 'defective' graphene-like materials. In particular, we will discuss defects in graphene-like systems including (a) structural (sp2-like) defects, (b) topological (sp2-like) defects, (c) doping or functionalization (sp2- and sp3-like) defects and (d) vacancies/edge type defects (non-sp2-like). It will be demonstrated that defects play a key role in graphene physicochemical properties and could even be critical to generate biocompatible materials. There are numerous challenges in this emerging field, and we intend to provide a stimulating account which could trigger new science and technological developments based on defective graphene-like materials that could be introduced into other atomic layered materials, such as BN, MoS2 and WS2, not discussed in this review.
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