Wafer-scale monolayer MoS 2 film integration for stable, efficient perovskite solar cells

钙钛矿(结构) 甲脒 能量转换效率 钝化 材料科学 薄脆饼 单层 载流子寿命 相对湿度 钙钛矿太阳能电池 光电子学 化学工程 纳米技术 图层(电子) 工程类 物理 热力学
作者
Huachao Zai,Pengfei Yang,Jie Su,Ruiyang Yin,Rundong Fan,Yuetong Wu,Xiao Zhu,Yue Ma,Tong Zhou,Wentao Zhou,Yu Zhang,Zijian Huang,Yiting Jiang,Nengxu Li,Yang Bai,Cheng Zhu,Zhaohui Huang,Jingjing Chang,Qi Chen,Yanfeng Zhang
出处
期刊:Science [American Association for the Advancement of Science (AAAS)]
卷期号:387 (6730): 186-192 被引量:132
标识
DOI:10.1126/science.ado2351
摘要

One of the primary challenges in commercializing perovskite solar cells (PSCs) is achieving both high power conversion efficiency (PCE) and sufficient stability. We integrate wafer-scale continuous monolayer MoS2 buffers at the top and bottom of a perovskite layer through a transfer process. These films physically block ion migration of perovskite into carrier transport layers and chemically stabilize the formamidinium lead iodide phase through strong coordination interaction. Effective chemical passivation results from the formation of Pb-S bonds, and minority carriers are blocked through a type-I band alignment. Planar p-i-n PSCs (0.074 square centimeters) and modules (9.6 square centimeters) with MoS2/perovskite/MoS2 configuration achieve PCEs up to 26.2% (certified steady-state PCE of 25.9%) and 22.8%, respectively. Moreover, the devices show excellent damp heat (85°C and 85% relative humidity) stability with <5% PCE loss after 1200 hours and notable high temperature (85°C) operational stability with <4% PCE loss after 1200 hours.
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