A Simple Formula Describing Impedance Artifacts due to the Size and Surface Resistance of a Reference-Electrode Wire in a Thin-Film Cell

电阻抗 电极 阳极 阴极 失真(音乐) 材料科学 等效电路 光电子学 电气工程 化学 工程类 电压 CMOS芯片 物理化学 放大器
作者
Daniel R. Baker,Mark W. Verbrugge,Xu Xian Hou
出处
期刊:Journal of The Electrochemical Society [The Electrochemical Society]
卷期号:164 (2): A407-A417 被引量:10
标识
DOI:10.1149/2.1121702jes
摘要

Reference electrodes are used in testing and designing thin-film cells in order to distinguish the effects of the positive and negative electrodes and determine the sources of significant resistance (or impedance), but the reference electrode introduces some distortion into the measurement due to non-uniformity of the current distribution. This often arises due to edge effects, the size and placement of the reference electrode, or both. Two common geometries for placing reference electrodes are internally, between the cathode and anode, and externally at a distance from the cathode and anode. Each design introduces some level of distortion, which must be clarified. This work focusses on internally-placed wire reference electrodes and elucidates the artifacts in cell impedance measurements as a function of wire size and wire surface resistance. Published simulations of impedance artifacts rely on computationally-intensive computer simulations, but we develop a simple formula to accurately approximate these effects. The formula is derived using a singular perturbation approximation to the impedance and then combining it with a simple equivalent circuit. Some comparisons with detailed numerical simulations show the accuracy of the resulting formula as a function of the diameter of the reference wire and its surface resistance.
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