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出处
期刊:Physica
[Elsevier]
日期:1967-01-01
卷期号:34 (1): 149-154
被引量:4560
标识
DOI:10.1016/0031-8914(67)90062-6
摘要
A relation for the variation of the energy gap (Eg) with temperature (T) in semiconductors is proposed. Eg ≐ E0 - αT2/(T+β) where α and β are constants. The equation satisfactorily represents the experimental data for diamond, Si, Ge, 6H-SiC, GaAs, InP and InAs.
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