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Influence of annealing time on the morphology and oxygen content of ZnO:Ga thin films

退火(玻璃) 扫描电子显微镜 材料科学 薄膜 分析化学(期刊) 溅射沉积 氧气 粒度 化学工程 溅射 冶金 纳米技术 复合材料 化学 色谱法 有机化学 工程类
作者
Putut Marwoto,Lana Khanifah,Sulhadi Sulhadi,Sugianto Sugianto,Budi Astuti,Edy Wibowo
出处
期刊:Journal of physics [IOP Publishing]
卷期号:1321 (2): 022020-022020 被引量:2
标识
DOI:10.1088/1742-6596/1321/2/022020
摘要

Abstract The effect of annealing time on the morphology and oxygen content of ZnO:Ga films has been deeply studied. ZnO:Ga films were grown with the use of the dc Magnetron Sputtering on the corning glass substrate. The films are grown with a plasma power of 30 watt, Argon gas pressure of 500 mtorr, and a substrate temperature of 300 °C for an hour deposition. The effect of annealing time on the morphology of ZnO:Ga films was observed by using Scanning Electron Microscope (SEM), whereas the oxygen content of the film was determined by Energy Dispersive X-ray (EDX) spectrometers. The SEM images showed that the ZnO:Ga film grown with an annealing time of 40 minutes possess relatively more homogeneous and compact morphology with smoother grain size than the ZnO:Ga films that deposited with annealing times of 30 and 50 minutes. The EDX results confirmed that this film possess lowest oxygen content (24.5 % of mass) but highest Ga content (1.7 % of mass) comparated to the ZnO:Ga thin films grown with another annealing times.
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