The effect of charged particle irradiation on the transport properties of bismuth chalcogenide topological insulators: a brief review

硫系化合物自旋电子学铋拓扑绝缘体数码产品材料科学纳米技术拓扑（电路）量子电子材料物理凝聚态物理光电子学电气工程量子力学工程类冶金铁磁性

作者

S. Abhirami,E. P. Amaladass,S. Amirthapandian,C. David,Awadhesh Mani

出处

期刊：Physical Chemistry Chemical Physics [The Royal Society of Chemistry]
日期：2023-12-21 卷期号：26 (4): 2745-2767 被引量：4

链接

nih.govdoi.org

标识

DOI：10.1039/d3cp02462h

摘要

Topological insulators (TIs) offer a novel platform for achieving exciting applications, such as low-power electronics, spintronics, and quantum computation.

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