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SiN-based optoelectronic synaptic devices: enhancing future cognitive computing systems

材料科学 兴奋性突触后电位 氧化铟锡 光电子学 铟 突触后电位 突触后电流 纳米技术 神经科学 薄膜 抑制性突触后电位 心理学 生物化学 受体 化学
作者
H. Park,Sungjun Kim
出处
期刊：Journal of Materials Chemistry C [The Royal Society of Chemistry]
日期：2024-01-01
标识
DOI：10.1039/d4tc02992e
摘要
In this study, an optoelectronic synaptic device based on an indium tin oxide/SiN/TaN structure was fabricated for bio-inspired computing. Under light exposure, the device exhibits excitatory postsynaptic current, which affords...
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