Design of 7 nm FinFET with High-k Dielectric Oxide Materials (HK) and GaAs as Metal Gate (MG) Using Ashby’s Material Selection Approach

材料科学 电介质 氧化物 光电子学 金属 选择(遗传算法) 高-κ电介质 金属浇口 栅极电介质 栅氧化层 电气工程 计算机科学 冶金 工程类 晶体管 电压 人工智能
作者
Mohd Abdul Muqeet,Tummala Ranga Babu
出处
期刊:Lecture notes in electrical engineering 卷期号:: 279-294
标识
DOI:10.1007/978-981-97-8464-6_24

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