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Catalytic Growth of Ultralong Graphene Nanoribbons on Insulating Substrates

材料科学 石墨烯纳米带 化学气相沉积 纳米技术 成核 石墨烯 基质(水族馆) 碳纳米管 外延 超晶格 氮化硼 纳米制造 光电子学 图层(电子) 有机化学 化学 地质学 海洋学
作者
Bosai Lyu,Jiajun Chen,Shuo Lou,Can Li,Lu Qiu,Wengen Ouyang,Jingxu Xie,Izaac Mitchell,Tongyao Wu,Aolin Deng,Cheng Hu,Xianliang Zhou,Peiyue Shen,Si‐Rui Ma,Zhenghan Wu,Kenji Watanabe,Takashi Taniguchi,Xiaoqun Wang,Liang Qi,Jin‐Feng Jia,Michael Urbakh,Oded Hod,Feng Ding,Shiyong Wang,Zhiwen Shi
出处
期刊:Advanced Materials [Wiley]
卷期号:34 (28) 被引量:12
标识
DOI:10.1002/adma.202200956
摘要

Graphene nanoribbons (GNRs) with widths of a few nanometers are promising candidates for future nanoelectronic applications due to their structurally tunable bandgaps, ultrahigh carrier mobilities, and exceptional stability. However, the direct growth of micrometer-long GNRs on insulating substrates, which is essential for the fabrication of nanoelectronic devices, remains an immense challenge. Here, the epitaxial growth of GNRs on an insulating hexagonal boron nitride (h-BN) substrate through nanoparticle-catalyzed chemical vapor deposition is reported. Ultranarrow GNRs with lengths of up to 10 µm are synthesized. Remarkably, the as-grown GNRs are crystallographically aligned with the h-BN substrate, forming 1D moiré superlattices. Scanning tunneling microscopy reveals an average width of 2 nm and a typical bandgap of ≈1 eV for similar GNRs grown on conducting graphite substrates. Fully atomistic computational simulations support the experimental results and reveal a competition between the formation of GNRs and carbon nanotubes during the nucleation stage, and van der Waals sliding of the GNRs on the h-BN substrate throughout the growth stage. This study provides a scalable, single-step method for growing micrometer-long narrow GNRs on insulating substrates, thus opening a route to explore the performance of high-quality GNR devices and the fundamental physics of 1D moiré superlattices.
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