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大胆的易槐
Lv2
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2024-09-23 加入
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Promoting the innovation and development of China’s GaN industry based on the characteristics of GaN global patent distribution
9天前
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采用激光转移的在热敏衬底上的移植磁随机存取存储器(MRAM)及其制作方法
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Magnetization Switching in Atom-Thick Mo Engineered Exchange Bias-Based SOT-MRAM
1个月前
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On/Off Ultra‐Short Spin Current for Single Pulse Magnetization Reversal in a Magnetic Memory Using VO2 Phase Transition
1个月前
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11天前
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1个月前
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1个月前
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