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DDD
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2024-03-12 加入
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Reconfigurable wide-angle broadband terahertz wave antireflection using a non-volatile phase-change material
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Enlightening gallium nitride-based UV photodetectors
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Monolithically integrated UV/IR‐photodetectors based on an AlN/GaN‐based superlattice grown on an AlGaN buffer layer
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A bipolar photodetector compatible with standard CMOS technology
1个月前
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Quasi-passive modulation for monolithic GaN photoelectronic circuit
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补充材料可以下载么?
12小时前
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13天前
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