SciHub
文献互助
期刊查询
一搜即达
科研导航
即时热点
交流社区
登录
注册
发布
文献
求助
首页
我的求助
捐赠本站
强健的邪欢
Lv1
40 积分
2025-04-01 加入
最近求助
最近应助
互助留言
Simulation-Based DC and RF Performance Analysis of an Enhancement-Mode T-Gate Al0.15Ga0.85N/GaN/Al0.07Ga0.93N/GaN/Al0.05Ga0.95N MIS-HEMT Device on a GaN Substrate
1天前
已完结
没有进行任何应助
没有进行任何互助留言
最近帖子
最近评论
没有发布任何帖子
没有发布任何评论
Simulation-Based DC and RF Performance Analysis of an Enhancement-Mode T-Gate Al0.15Ga0.85N/GaN/Al0.07Ga0.93N/GaN/Al0.05Ga0.95N MIS-HEMT Device on a GaN Substrate
皖公网安备34019202002308
