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激昂的海蓝
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2023-03-08 加入
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Frequency Dependent Capacitance and Conductance–Voltage Characteristics of Nitride GaAs Schottky Diode
3天前
已完结
6 kV/3.4 mω∙cm2 Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with BV2/Ron,sp Performance Exceeding 1-D Unipolar Limit of GaN and SiC
1年前
已完结
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感谢
2天前
速度真快，感谢
1年前
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Frequency Dependent Capacitance and Conductance–Voltage Characteristics of Nitride GaAs Schottky Diode
6 kV/3.4 mω∙cm2 Vertical β-Ga2O3 Schottky Barrier Diode with BV2/Ron,sp Performance Exceeding 1-D Unipolar Limit of GaN and SiC
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