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magiczhu
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Using both faces of polar semiconductor wafers for functional devices
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Highly efficient InGaN-based LED with pre-roughening backside of GaN substrate
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Drive high power UVC-LED wafer into low-cost 4-inch era: effect of strain modulation
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GaN基发光二极管中V-型坑和p型插入层的外延生长及性能研究
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