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 Achieving ultrahigh etching selectivity of SiO2 over Si3N4 and Si in atomic layer etching by exploiting chemistry of complex hydrofluorocarbon precursors 利用复合氢氟碳前驱体化学实现SiO2对Si3N4和Si原子层刻蚀的超高选择性
相关领域
钝化
蚀刻（微加工）
选择性
氟
氟碳化合物
图层（电子）
氢
反应离子刻蚀
干法蚀刻
材料科学
化学
化学工程
纳米技术
无机化学
有机化学
催化作用
工程类
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| 其它 |
期刊：Journal of vacuum science & technology 作者：Kang-Yi Lin; Chen Li; Sebastian Engelmann; Robert L. Bruce; Eric Joseph; et al 出版日期：2018-06-04 |
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