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Significant performance and stability improvement of low-voltage InZnO thin-film transistors by slight La doping
微量La掺杂显著改善低压InZnO薄膜晶体管的性能和稳定性
相关领域
薄膜晶体管
材料科学
光电子学
阈值电压
钝化
兴奋剂
氧化物薄膜晶体管
晶体管
掺杂剂
低压
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电气工程
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期刊:Applied Physics Letters 作者:Wensi Cai; Mengchao Li; Haiyun Li; Qingkai Qian; Zhigang Zang 出版日期:2022-08-08 |
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