Ga2O3/NiO junction barrier Schottky diodes with ultra-low barrier TiN contact

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标题	Ga2O3/NiO junction barrier Schottky diodes with ultra-low barrier TiN contact 具有超低势垒TiN接触的Ga2O3/NiO结势垒肖特基二极管相关领域肖特基势垒材料科学金属半导体结锡光电子学二极管非阻塞I/O 化学冶金生物化学催化作用
网址	https://doi.org/10.1063/5.0211124
DOI	10.1063/5.0211124 doi
其它	期刊：Applied Physics Letters 作者：Hehe Gong; Na Sun; Tiancheng Hu; Xinxin Yu; Matthew Porter; et al 出版日期：2024-06-03
求助人	渊山在 2024-12-25 08:19:46 发布自浙江，悬赏 10 积分
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