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 Fully Self-Aligned Via Integration for Interconnect Scaling Beyond 3nm Node 完全自对准通孔集成，实现3纳米节点以上的互连扩展
相关领域
电迁移
随时间变化的栅氧化层击穿
互连
材料科学
电介质
缩放比例
介电强度
光电子学
节点（物理）
电子工程
可靠性（半导体）
低介电常数
纳米技术
电气工程
计算机科学
栅极电介质
复合材料
工程类
电压
功率（物理）
物理
电信
结构工程
几何学
数学
晶体管
量子力学
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| 其它 |
期刊： 作者：H.P. Chen; Yiliang Wu; Huai Huang; Ching‐Hui Tsai; S.K. Lee; et al 出版日期：2021-12-11 |
| 求助人 | |
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