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 Bulk GaN substrate with overall dislocation density on the order of 105/cm2 fabricated by hydride vapor phase epitaxy 氢化物气相外延制备总位错密度约为105/cm2的块状GaN衬底
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期刊：Journal of Crystal Growth 作者：Shin Goubara; Tohoru Matsubara; Kota Yukizane; Naoki Arita; Satoru Fujimoto; et al 出版日期：2017-08-23 |
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