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 Deep insights into the mechanism of nitrogen on the endurance enhancement in ferroelectric field effect transistors: Trap behavior during memory window degradation 氮对铁电场效应晶体管耐久性增强机制的深刻见解：存储窗口退化过程中的陷阱行为
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期刊：Applied physics letters 作者：Yuanquan Huang; Haiyan Yuan; Bowen Nie; Tiancheng Gong; Yuan Wang; et al 出版日期：2024-03-25 |
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