Dynamic behavior of dislocations in InAs: In comparison with III–V compounds and other semiconductors

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标题	Dynamic behavior of dislocations in InAs: In comparison with III–V compounds and other semiconductors InAs中错位的动态行为：与III-V族化合物和其他半导体的比较相关领域位错凝聚态物理杂质半导体材料科学兴奋剂部分位错压力（语言学）结晶学化学物理光电子学语言学哲学有机化学
网址	https://doi.org/10.1063/1.368638
DOI	10.1063/1.368638 doi
其它	期刊：Journal of Applied Physics 作者：Ichiro Yonenaga 出版日期：1998-10-15
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