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 702.3 A·cm⁻²/10.4 mΩ·cm² β-Ga₂O₃ U-Shape Trench Gate MOSFET With N-Ion Implantation N离子注入702.3A·cm′²/10.4MΩ·cm²β-Ga2O（3）U型沟槽栅MOSFET
相关领域
物理
分析化学（期刊）
材料科学
电气工程
化学
工程类
有机化学
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| 其它 |
期刊：IEEE Electron Device Letters 作者：Yongjian Ma; Xuanze Zhou; Wenbo Tang; Xiaodong Zhang; Guangwei Xu; et al 出版日期：2023-03-01 |
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