标题 |
Study of high-pressure hydrogen annealing effects on InGaZnO thin-film transistors
高压氢退火对InGaZnO薄膜晶体管影响的研究
相关领域
薄膜晶体管
钝化
材料科学
氢
阈值电压
退火(玻璃)
兴奋剂
光电子学
X射线光电子能谱
场效应
空位缺陷
晶体管
分析化学(期刊)
电压
纳米技术
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电气工程
化学工程
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结晶学
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其它 |
期刊:Applied Physics Letters 作者:Kyumin Lee; Laeyong Jung; Hyunsang Hwang 出版日期:2022-08-15 |
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