标题 |
A comparative study on single event irradiation effects between Trench MOSFET and Split-gate-trench MOSFET
沟槽MOSFET与裂栅沟槽MOSFET单事件辐照效应的比较研究
相关领域
MOSFET
沟槽
材料科学
功率MOSFET
事件(粒子物理)
阈值电压
光电子学
电气工程
电压
工程类
晶体管
物理
纳米技术
量子力学
图层(电子)
|
网址 | |
DOI | |
求助人 | |
下载 | 该求助完结已超 24 小时,文件已从服务器自动删除,无法下载。 |
温馨提示:该文献已被科研通 学术中心 收录,前往查看
科研通『学术中心』是文献索引库,收集文献的基本信息(如标题、摘要、期刊、作者、被引量等),不提供下载功能。如需下载文献全文,请通过文献求助获取。
|