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 A Reliability Enhanced 5nm CMOS Technology Featuring 5th Generation FinFET with Fully-Developed EUV and High Mobility Channel for Mobile SoC and High Performance Computing Application 一种可靠性增强的5纳米CMOS技术，采用第五代FinFET，具有完全开发的EUV和高移动性通道，适合移动SoC和高性能计算应用
相关领域
CMOS芯片
节点（物理）
可靠性（半导体）
计算机科学
静态随机存取存储器
逻辑门
电子工程
极紫外光刻
负偏压温度不稳定性
嵌入式系统
MOSFET
晶体管
电气工程
材料科学
工程类
光电子学
功率（物理）
电压
物理
结构工程
量子力学
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| 其它 |
期刊： 作者：J.C. Liu; Subhadeep Mukhopadhyay; Amit Kundu; S.H. Chen; H.C. Wang; et al 出版日期：2020-12-12 |
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