Simulation of a Short-Channel 4H-SiC UMOSFET with Buried p Epilayer for Low Oxide Electric Field and Switching Loss

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标题	Simulation of a Short-Channel 4H-SiC UMOSFET with Buried p Epilayer for Low Oxide Electric Field and Switching Loss 低氧化场和低开关损耗埋p外延层短沟道4H-SiC UMOSFET的仿真相关领域电场材料科学氧化物光电子学电气工程电介质击穿电压拓扑（电路）电压物理工程类量子力学冶金
网址	https://doi.org/10.1109/wipdaasia.2018.8734604
DOI	10.1109/wipdaasia.2018.8734604 doi
其它	期刊：2018 1st Workshop on Wide Bandgap Power Devices and Applications in Asia (WiPDA Asia) 作者：Zhenxi Shen; Feng Zhang; Guangxuan Yan; Zheng Wen; Wei Zhao; et al 出版日期：2018-05-01
求助人	www 在 2024-03-21 15:26:54 发布自陕西，悬赏 10 积分
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