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 Low-frequency noise characteristics of indium–gallium–zinc oxide ferroelectric thin-film transistors with metal–ferroelectric–metal–insulator–semiconductor structure 金属-铁电-金属-绝缘体-半导体结构铟镓锌氧化物铁电薄膜晶体管的低频噪声特性
相关领域
材料科学
铁电性
光电子学
铟
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期刊：Applied Physics Letters 作者：Wonjun Shin; Eun Chan Park; Ryun‐Han Koo; Dongseok Kwon; Daewoong Kwon; et al 出版日期：2023-04-10 |
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