Methods of Reducing Metal Damager Defect in Back End of Line for Semiconductor in 28Nm Technology

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标题	Methods of Reducing Metal Damager Defect in Back End of Line for Semiconductor in 28Nm Technology 减少28Nm半导体生产线后端金属损伤缺陷的方法相关领域放气薄脆饼电镀材料科学退火（玻璃）湿法清洗光电子学洁净室半导体冶金电子工程半导体器件制造纳米技术工程类化学有机化学图层（电子）
网址	https://doi.org/10.1109/cstic52283.2021.9461421
DOI	10.1109/cstic52283.2021.9461421 doi
其它	期刊：China Semiconductor Technology International Conference 作者：Shanshan Chen; Hunglin Chen; Yin Long; Hao Guo; Kai Wang 出版日期：2021-03-14
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