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 Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies 基于SiC、III-V氮化物和III-VI ZnSe的大带隙半导体器件技术
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期刊：Journal of Applied Physics 作者：H. Morkoç̌; S. Strite; Guangjun Gao; Min Lin; B. Sverdlov; et al 出版日期：1994-08-01 |
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